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日立IGBT模块MBN1800F33F-C3
日立IGBT模块MBN1800F33F-C3$n北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件$n3300V IGBT模块MBN1500E33C
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日立IGBT模块MBN1500E33C
日立IGBT模块MBN1500E33C$n北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件$n3300V IGBT模块MBN1500E33C
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日立IGBT模块MBN800E33D-P
日立IGBT模块MBN800E33D-P$n北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件$n3300V IGBT模块MBN800E33D-P
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日立IGBT模块MBL400E33D
日立IGBT模块MBL400E33D 北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件 3300V IGBT英飞凌MBL400E33D
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供应日立IGBT模块41A296305ECP2
供应日立IGBT模块41A296305ECP2 北京京诚宏泰科技 ABB的 IGBT功率模块为电压从1700伏特至6500伏特的单一IGBT，双/桥臂式IGBT，斩波和双二极管模块。大功率的HiPak IGBT模块具备软开关低损耗和高极限较宽的SOA两大特点。
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日立IGBT模块MBN1200E17D
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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