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  • PM15CSJ060三菱IPM模块PM15CSJ060

    三菱IPM模块PM15CSJ060

    三菱IPM模块PM15CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM10CSJ060三菱IPM模块PM10CSJ060

    三菱IPM模块PM10CSJ060

    三菱IPM模块PM10CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM450CLA120PM450CLA120三菱IPM模块PM200CLA120

    PM450CLA120三菱IPM模块PM200CLA120

    代理销售三菱IPM模块PM450CLA120

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  • PM100RLA120代理销售三菱IPM模块PM100RLA120

    代理销售三菱IPM模块PM100RLA120

    北京京诚宏泰科技有限公司代理销售三菱IPM模块PM100RLA120 三菱6单元IGBT-IPM模块

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  • PM800HSA060三菱IPM模块PM800HSA060

    三菱IPM模块PM800HSA060

    三菱IPM模块PM800HSA060

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  • PS21867-P三菱IPM模块PS21867-P

    三菱IPM模块PS21867-P

    三菱IPM模块PS21867-P

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  • PM600DVA060三菱IPM模块PM600DVA060

    三菱IPM模块PM600DVA060

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

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  • PM100RLA120三菱IPM模块PM100RLA120

    三菱IPM模块PM100RLA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

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  • PM300CLA120三菱IPM模块

    PM300CLA120三菱IPM模块

    PM300CLA120三菱IPM模块,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

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  • PM10RHB120-2三菱IPM模块PM10RHB120-2

    三菱IPM模块PM10RHB120-2

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

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  • PM600DJA120三菱IPM模块PM600DJA120

    三菱IPM模块PM600DJA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘

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  • PM800HSA120三菱IPM智能功率模块PM800HSA120

    三菱IPM智能功率模块PM800HSA120

    IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成,其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。 IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,中大功率的IPM使用陶瓷绝缘。

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