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  • PM30CMA060三菱IPM模块PM30CMA060

    三菱IPM模块PM30CMA060

    三菱IPM模块PM30CMA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CMA060

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  • PM30CTJ060三菱IPM模块PM30CTJ060

    三菱IPM模块PM30CTJ060

    三菱IPM模块PM30CTJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CTJ060

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  • PM30CNJ060三菱IPM模块PM30CNJ060

    三菱IPM模块PM30CNJ060

    三菱IPM模块PM30CNJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CNJ060

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  • PM20CVL060-33三菱IPM模块PM20CVL060-33

    三菱IPM模块PM20CVL060-33

    三菱IPM模块PM20CVL060-33,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CVL060-33

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  • PM20CTM060-3三菱IPM模块PM20CTM060-3

    三菱IPM模块PM20CTM060-3

    三菱IPM模块PM20CTM060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CTM060-3

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  • PM20CUL060-32L三菱IPM模块PM20CUL060-32L

    三菱IPM模块PM20CUL060-32L

    三菱IPM模块PM20CUL060-32L,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CUL060-32L

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  • PM20CHA060三菱IPM模块PM20CHA060

    三菱IPM模块PM20CHA060

    三菱IPM模块PM20CHA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CHA060

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  • PM20CNJ060三菱IPM模块PM20CNJ060

    三菱IPM模块PM20CNJ060

    三菱IPM模块PM20CNJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM20CNJ060

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  • PM15RSF060三菱IPM模块PM15RSF060

    三菱IPM模块PM15RSF060

    三菱IPM模块PM15RSF060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM15RSF060

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  • PM15CTM060-3三菱IPM模块PM15CTM060-3

    三菱IPM模块PM15CTM060-3

    三菱IPM模块PM15CTM060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM15CTM060-3

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  • PM15CTM060三菱IPM模块PM15CTM060

    三菱IPM模块PM15CTM060

    三菱IPM模块PM15CTM060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM15CEG060三菱IPM模块PM15CEG060

    三菱IPM模块PM15CEG060

    三菱IPM模块PM15CEG060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM20CTM060-01三菱IPM模块PM20CTM060-01

    三菱IPM模块PM20CTM060-01

    三菱IPM模块PM20CTM060-,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM15CEE060三菱IPM模块PM15CEE060

    三菱IPM模块PM15CEE060

    三菱IPM模块PM15CEE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM15CMA060三菱IPM模块PM15CMA060

    三菱IPM模块PM15CMA060

    三菱IPM模块PM15CMA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM15CNA060三菱IPM模块PM15CNA060

    三菱IPM模块PM15CNA060

    三菱IPM模块PM15CNA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM10CNJ060三菱IPM模块PM10CNJ060

    三菱IPM模块PM10CNJ060

    三菱IPM模块PM10CNJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM10CMA060三菱IPM模块PM10CMA060

    三菱IPM模块PM10CMA060

    三菱IPM模块PM10CMA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM30CSJ060三菱IPM模块PM30CSJ060

    三菱IPM模块PM30CSJ060

    三菱IPM模块PM30CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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  • PM20CSJ060三菱IPM模块PM20CSJ060

    三菱IPM模块PM20CSJ060

    三菱IPM模块PM20CSJ060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。小功率的IPM使用多层环氧绝缘系统,

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