-
三菱IPM模块PM75CSD060
三菱IPM模块PM75CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM75RSD060
三菱IPM模块PM75RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM75CBS060
三菱IPM模块PM75CBS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM75CBS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RLA060
三菱IPM模块PM50RLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50CLA060
三菱IPM模块PM50CLA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CLA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RSA060
三菱IPM模块PM50RSA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50CTK060
三菱IPM模块PM50CTK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CTK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RSK060
三菱IPM模块PM50RSK060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSK060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50EHS060
三菱IPM模块PM50EHS060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50EHS060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RHB060
三菱IPM模块PM50RHB060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RHB060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50CSE060
三菱IPM模块PM50CSE060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSE060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RHA060
三菱IPM模块PM50RHA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RHA060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50CSD060
三菱IPM模块PM50CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50RSD060
三菱IPM模块PM50RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，PM50RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM50CTJ060-3
三菱IPM模块PM50CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM50CTJ060-3
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM30RSF060
三菱IPM模块PM30RSF060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RSF060
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM30RMC060
三菱IPM模块PM30RMC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RMC060
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM30RHC060
三菱IPM模块PM30RHC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RHC060
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM30CNA060
三菱IPM模块PM30CNA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CNA060
查看详细介绍 -
三菱IPM模块PM30CTJ060-3
三菱IPM模块PM30CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CTJ060-3
查看详细介绍
