产品展示
当前位置:首页 > 产品展示 > IPM智能功率模块 > 三菱IPM模块
  • PM75CSD060三菱IPM模块PM75CSD060

    三菱IPM模块PM75CSD060

    三菱IPM模块PM75CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM75RSD060三菱IPM模块PM75RSD060

    三菱IPM模块PM75RSD060

    三菱IPM模块PM75RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM75CBS060三菱IPM模块PM75CBS060

    三菱IPM模块PM75CBS060

    三菱IPM模块PM75CBS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CBS060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RLA060三菱IPM模块PM50RLA060

    三菱IPM模块PM50RLA060

    三菱IPM模块PM50RLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RLA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50CLA060三菱IPM模块PM50CLA060

    三菱IPM模块PM50CLA060

    三菱IPM模块PM50CLA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CLA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RSA060三菱IPM模块PM50RSA060

    三菱IPM模块PM50RSA060

    三菱IPM模块PM50RSA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50CTK060三菱IPM模块PM50CTK060

    三菱IPM模块PM50CTK060

    三菱IPM模块PM50CTK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CTK060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RSK060三菱IPM模块PM50RSK060

    三菱IPM模块PM50RSK060

    三菱IPM模块PM50RSK060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSK060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50EHS060三菱IPM模块PM50EHS060

    三菱IPM模块PM50EHS060

    三菱IPM模块PM50EHS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50EHS060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RHB060三菱IPM模块PM50RHB060

    三菱IPM模块PM50RHB060

    三菱IPM模块PM50RHB060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RHB060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50CSE060三菱IPM模块PM50CSE060

    三菱IPM模块PM50CSE060

    三菱IPM模块PM50CSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CSE060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RHA060三菱IPM模块PM50RHA060

    三菱IPM模块PM50RHA060

    三菱IPM模块PM50RHA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RHA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50CSD060三菱IPM模块PM50CSD060

    三菱IPM模块PM50CSD060

    三菱IPM模块PM50CSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50RSD060三菱IPM模块PM50RSD060

    三菱IPM模块PM50RSD060

    三菱IPM模块PM50RSD060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSD060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

    查看详细介绍
  • PM50CTJ060-3三菱IPM模块PM50CTJ060-3

    三菱IPM模块PM50CTJ060-3

    三菱IPM模块PM50CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM50CTJ060-3

    查看详细介绍
  • PM30RSF060三菱IPM模块PM30RSF060

    三菱IPM模块PM30RSF060

    三菱IPM模块PM30RSF060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RSF060

    查看详细介绍
  • PM30RMC060三菱IPM模块PM30RMC060

    三菱IPM模块PM30RMC060

    三菱IPM模块PM30RMC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RMC060

    查看详细介绍
  • PM30RHC060三菱IPM模块PM30RHC060

    三菱IPM模块PM30RHC060

    三菱IPM模块PM30RHC060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30RHC060

    查看详细介绍
  • PM30CNA060三菱IPM模块PM30CNA060

    三菱IPM模块PM30CNA060

    三菱IPM模块PM30CNA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CNA060

    查看详细介绍
  • PM30CTJ060-3三菱IPM模块PM30CTJ060-3

    三菱IPM模块PM30CTJ060-3

    三菱IPM模块PM30CTJ060-3,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。PM30CTJ060-3

    查看详细介绍
共 112 条记录,当前 4 / 6 页  首页  上一页  下一页  末页  跳转到第页