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  • 三菱IPM PM50RSD120智能IGBT模块PM50RSD120

    智能IGBT模块PM50RSD120

    智能IGBT模块PM50RSD120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSD120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50CSE120智能IGBT模块PM50CSE120

    智能IGBT模块PM50CSE120

    智能IGBT模块PM50CSE120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CSE120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50RSE120智能IGBT模块PM50RSE120

    智能IGBT模块PM50RSE120

    智能IGBT模块PM50RSE120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSE120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 三菱IPM PM50CSA120智能IGBT模块PM50CSA120

    智能IGBT模块PM50CSA120

    智能IGBT模块PM50CSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CSA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM50RHA120三菱IPM模块PM50RHA120

    三菱IPM模块PM50RHA120

    三菱IPM模块PM50RHA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RHA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM50CLA120三菱IPM模块PM50CLA120

    三菱IPM模块PM50CLA120

    三菱IPM模块PM50CLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50CLA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM50RSA120三菱IPM模块PM50RSA120

    三菱IPM模块PM50RSA120

    三菱IPM模块PM50RSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RSA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75CSA120三菱IPM模块PM75CSA120

    三菱IPM模块PM75CSA120

    三菱IPM模块PM75CSA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CSA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM50RVA120三菱IPM模块PM50RVA120

    三菱IPM模块PM50RVA120

    三菱IPM模块PM50RVA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RVA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75CSD120三菱IPM模块PM75CSD120

    三菱IPM模块PM75CSD120

    三菱IPM模块PM75CSD120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CSD120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM50RLA120三菱IPM模块PM50RLA120

    三菱IPM模块PM50RLA120

    三菱IPM模块PM50RLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM50RLA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75CVA120三菱IPM模块PM75CVA120

    三菱IPM模块PM75CVA120

    三菱IPM模块PM75CVA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CVA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75RHA120三菱IPM模块PM75RHA120

    三菱IPM模块PM75RHA120

    三菱IPM模块PM75RHA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RHA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75CLA120三菱IPM模块PM75CLA120

    三菱IPM模块PM75CLA120

    三菱IPM模块PM75CLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CLA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75RLA120三菱IPM模块PM75RLA120

    三菱IPM模块PM75RLA120

    三菱IPM模块PM75RLA120,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RLA120,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75RHA060三菱IPM模块PM75RHA060

    三菱IPM模块PM75RHA060

    三菱IPM模块PM75RHA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RHA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75EHS060三菱IPM模块PM75EHS060

    三菱IPM模块PM75EHS060

    三菱IPM模块PM75EHS060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75EHS060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75RVA060三菱IPM模块PM75RVA060

    三菱IPM模块PM75RVA060

    三菱IPM模块PM75RVA060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RVA060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • 智能模块PM75CSE060三菱IPM模块PM75CSE060

    三菱IPM模块PM75CSE060

    三菱IPM模块PM75CSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75CSE060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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  • PM75RSE060三菱IPM模块PM75RSE060

    三菱IPM模块PM75RSE060

    三菱IPM模块PM75RSE060,IPM由高速、低功率的IGBT芯片和优选的门级驱动及保护电路构成其中,PM75RSE060,IGBT是GTR和MOSFET的复合,由MOSFET驱动GTR,因而IGBT具有两者的优点。IPM根据内部功率电路配置的不同可分为四类:H型(内部封装一个IGBT)、D型(内部封装两个IGBT)、C型(内部封装六个IGBT)和R型(内部封装七个IGBT)。

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