-
供应fuji富士igbt模块1MBI600LP-060
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI600LP-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
供应fuji富士igbt模块1MBI400L-060
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI400L-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
供应fuji富士igbt模块1MBI200L-060
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI200L-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
供应fuji富士igbt模块
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI600LN-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
供应富士igbt模块1MBI400F-060
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI400F-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
供应富士igbt模块1MBI300F-060
北京京诚宏泰科技有限公司代理富士1单元igbt模块1MBI300F-060主要用于通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 突波吸收电容等元件。业务遍及通用变频器、高压变频器、伺服驱动器 、UPS UPS、变频与传动、电 、变频与传动、电动汽车、电力统 动汽车、电力统SVG无功补偿装置、 无功补偿装置、 UPS UPS逆变器 逆变器/UPS/EPS /UPS/EPS、风电变流器、变频空调、光伏变流、
查看详细介绍 -
FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50
FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50,N通道 IGBT 模块 发射极-集电极、六(3x双), 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
查看详细介绍 -
富士IGBT模块7MBI40N-120
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
查看详细介绍 -
富士IGBT模块2MBI300N-060
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
查看详细介绍 -
富士1单元IGBT模块1MBI300S-120
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小
查看详细介绍