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富士IGBT模块2MBI600VN-120-50
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富士IGBT模块2MBI450VN-120-50
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富士IGBT模块6MBI450V-170-50
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富士IGBT模块6MBI300V-120-50
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富士IGBT模块6MBI225V-120-50
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富士IGBT模块7MBR100SB060
富士IGBT模块7MBR100SB060,北京京诚宏泰科技有限公司销售7MBR100SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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富士IGBT功率模块7MBR50SB060
富士IGBT功率模块7MBR50SB060,北京京诚宏泰科技有限公司销售7MBR50SB060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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富士IGBT功率模块7BMR20SC060
富士IGBT功率模块7BMR20SC060,北京京诚宏泰科技有限公司销售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,
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富士IGBT集成模块7MBR25SA120
富士IGBT集成模块7MBR25SA120;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售7MBR25SA120;富士7单元IGBT模块7MBR25SA120
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FUJI富士IGBT模块7MBR50SB120
FUJI富士IGBT模块7MBR50SB120;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售7MBR50SB120;富士6单元IGBT模块7MBR50SB120
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FUJI富士IGBT模块7MBR50SD120
FUJI富士IGBT模块7MBR50SD120;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售7MBR50SD120;富士6单元IGBT模块7MBR50SD120
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FUJI富士IGBT模块7MBR50HU120
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FUJI富士IGBT模块7MBR100UB120-50
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FUJI富士IGBT模块7MBR75VN120-50
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FUJI富士IGBT模块7MBR100VN120-50
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FUJI富士IGBT模块7MBR150VN120-50
FUJI富士IGBT模块7MBR150VN120-50;富士变频器IGBT模块;北京京诚宏泰科技有限公司专业销售6MBI75UB-120;富士6单元IGBT模块7MBR150VN120-50
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FUJI富士IGBT模块6MBI75UB-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI75UA-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI35S-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI50UA-120
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