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安川变频器IGBT模块CM50YE13-12F
CM50YE13-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM75YE13-12F
CM75YE13-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM150YE4-12F
CM150YE4-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM110YE4-12F
CM110YE4-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM110YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM165YE4-12F
CM165YE4-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM165YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM200YE4-12F
CM200YE4-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200YE4-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱igbt斩波模块CM300E2U-12H
CM300E2U-12H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300E2U-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱igbt斩波模块CM300E3Y-12E
CM300E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱igbt斩波模块CM200E3U-12E
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三菱igbt斩波模块CM200E3Y-12E
CM200E3Y-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200E3Y-12E。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱igbt斩波模块CM150E3U-12E
CM150E3U-12E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150E3U-12E。型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱igbt斩波模块CM150E3Y-12E
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三菱igbt斩波模块CM100E3U-12E
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三菱igbt斩波模块CM75E3U-12E
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三菱igbt斩波模块CM75E3Y-12E
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三菱igbt斩波模块CM50E3U-12E
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三菱igbt斩波模块CM50E3Y-12E
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三菱模块CM400DY-12NF
CM400DY-12NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱模块CM400DY-12H
CM400DY-12H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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