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三菱IGBT模块CM800DZ-34H
三菱CM800DZ-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800DZ-34H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E2Z-66H
三菱CM800E2Z-66H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E2Z-66H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E6C-66H
三菱CM800E6C-66H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E6C-66H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM1000DU-34NF
三菱CM1000DU-34N北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1000DU-34N。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM600E2Y-34H
三菱CM600E2Y-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM600E2Y-34H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM50DY-28H
三菱CM50DY-28H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50DY-28H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM300E3U-24E
三菱CM300E3U-24E北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300E3U-24E。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块 CM300DY-34A
三菱 CM300DY-34A北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块 CM300DY-34A。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM200DY-24H
三菱CM200DY-24H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200DY-24H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM75DU-12F
三菱CM75DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM75DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM100DU-12F
三菱CM100DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM100DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM150DU-12F
三菱CM150DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM150DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM200DU-12F
三菱CM200DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM200DU-12F。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM300DU-12F
CM300DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DU-12F
CM400DU-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DU-12H
CM400DU-12H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800DU-12H
CM800DU-12H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM600DY-24NF
CM600DY-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM600DY-24NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM600DY-12NF
CM600DY-12NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM600DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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安川变频器IGBT模块CM40YE13-12F
CM40YE13-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM40YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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