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英飞凌IGBT模块FP100R12KT4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE3大功率IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3
3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT斩波模块FD400R12KE3
直流斩波器又称为截波器，它是将电压值固定的直流电，转换为电压值可变的直流电源装置，是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用，如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。
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英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C
直流斩波器又称为截波器，它是将电压值固定的直流电，转换为电压值可变的直流电源装置，是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用，如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。
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英飞凌大功率IGBT模块FZ2400R12KE3
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT斩波模块FD400R16KF4
直流斩波器又称为截波器，它是将电压值固定的直流电，转换为电压值可变的直流电源装置，是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用，如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。
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英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌大功率IGBT模块FZ1000R12KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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代理英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小
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英飞凌IGBT模块FF450R12ME4
主要代理及经销德国infneon（英飞凌）;EUPEC（优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛，西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、BUSSMANN快熔
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英飞凌IGBT模块FF450R06ME3
专业销售代理国内外电力电子器件和功率模块；主要代理及经销德国infneon（英飞凌）;EUPEC（优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛，西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰
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英飞凌IGBT模块FF450R12ME3
专业销售代理国内外电力电子器件和功率模块；主要代理及经销德国infneon（英飞凌）;EUPEC（优派克）、西门康、IXYS、AEG、TYCO，日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达，美国IR，瑞士ABB，英国西玛，西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、日之出（HINODE）、法国罗兰
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