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  • FP100R12KT4英飞凌IGBT模块FP100R12KT4

    英飞凌IGBT模块FP100R12KT4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ3600R17KE3英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE3大功率IGBT

    英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE3大功率IGBT

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD800R33KF2C-K英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

    英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1500R33HE3英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

    英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

    3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD400R12KE3英飞凌IGBT斩波模块FD400R12KE3

    英飞凌IGBT斩波模块FD400R12KE3

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R12HP4英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

    英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD800R33KF2英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C

    英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ2400R12KE3英飞凌大功率IGBT模块FZ2400R12KE3

    英飞凌大功率IGBT模块FZ2400R12KE3

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD400R16KF4英飞凌IGBT斩波模块FD400R16KF4

    英飞凌IGBT斩波模块FD400R16KF4

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R16KF4_S1英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

    英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1000R12KF4英飞凌大功率IGBT模块FZ1000R12KF4

    英飞凌大功率IGBT模块FZ1000R12KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1800R16KF4代理英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4

    代理英飞凌IGBT模块FZ1800R16KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FF600R17ME4英飞凌IGBT模块FF450R17ME4

    英飞凌IGBT模块FF450R17ME4

    英飞凌IGBT模块FF450R17ME4 北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块 可控硅晶闸管 电容

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  • 英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4

    英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4

    英飞凌IGBT模块FF1400R17IP4 北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块可控硅晶闸管 电容

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  • 英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

    英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

    英飞凌IGBT模块FF450R17ME3 北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块 可控硅 晶闸管 电容

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  • 英飞凌FF450R12ME4英飞凌IGBT模块FF450R12ME4

    英飞凌IGBT模块FF450R12ME4

    主要代理及经销德国infneon(英飞凌);EUPEC(优派克)、西门康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达,美国IR,瑞士ABB,英国西玛,西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、BUSSMANN快熔

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  • 英飞凌FF450R06ME3英飞凌IGBT模块FF450R06ME3

    英飞凌IGBT模块FF450R06ME3

    专业销售代理国内外电力电子器件和功率模块;主要代理及经销德国infneon(英飞凌);EUPEC(优派克)、西门康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达,美国IR,瑞士ABB,英国西玛,西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰

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  • FF450R12ME3英飞凌IGBT模块FF450R12ME3

    英飞凌IGBT模块FF450R12ME3

    专业销售代理国内外电力电子器件和功率模块;主要代理及经销德国infneon(英飞凌);EUPEC(优派克)、西门康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达,美国IR,瑞士ABB,英国西玛,西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰

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  • 英飞凌FF450R12KE4英飞凌IGBT模块FF450R12KE4
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