详细资料：
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应三菱IGBT模块CM600DY-34H
日本Mitsubishi三菱IGBT功率模块CM600DY-34H
HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules
三菱IGBT模块CM600DY-34H
三菱IGBT模块CM600DY-34H技术参数：vces=1700v ；IC=600A
变频器IGBT模块CM600DY-34H
IGBT的应用及设计作为电力电子重要大功率主流器件之一，IGBT已经广泛应用于家用电器、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费电子方面，IGBT用于家用电器、相机和手机。
IGBT产品市场现状分析国内市场需求急剧上升曾使得IGBT市场一度被看好。虽然长期来看，IGBT是一个值得期待的市场，可是到目前为止IGBT的核心技术和产业为大多数欧美IDM半导体厂商所掌控，本土厂商想要打破国外企业对国内IGBT市场垄断，还需要很多努力。并且随着各国政府都将削减可再生能源及交通等领域的支出，IGBT市场能否再度增长?根据的调查报告显示，各种IGBT器件和模块的销售额在2013年将有一定程度的复苏，2014年稍稍减速，待经济复苏并稳定后，从2015年开始将稳定增长。虽然2013年IGBT市场增长趋势有所下降，但随着国内技术的进步，其发展前景还是十分被看好的。
用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极zui大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
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- 三菱IGBT模块，1单元IGBT,2半桥IGBT
- 三菱IPM智能功率模块
- 三菱快恢复二极管
- 三菱可控硅
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CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF
CM200DU-12H CM200DUS-12F
CM600DU-5F
CM300DJB-060 CM300DY-12H
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F
CM200YE4-12F CM600DY-12NF
CM800DU-12H
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H
CM400DU-12H CM400DY1-12E
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CM300E3Y-24E CM300E3U-24E
CM50DY-28H CM75DY-28H CM75DY-34A
CM200DY-28H CM200DY-34A
CM200DU-34KA CM900DU-24NF CM1400DU-24NF CM300DY-28H CM300DY-34A
CM400DY-34A CM400DY-34H CM400DU-34KA
CM400DY-50H CM400DY-66H
CM600DY-34H CM800E3UA-24F CM800E2UA-24F CM800DZ-34H CM800E2Z-66H
CM800E6C-66H CM800E2C-66H CM1200E4C-34N CM1000DU-34NF CM600E2Y-34H
CM200DY-24H
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● 应用。需要根据一些特殊应用调整产品。例如电动汽车IGBT与一般工业用的IGBT在技术工艺性能上的主要区别在生产工序，因为是车载产品，需要实现超高品质车载级模块。在IGBT加工工序的开始，每个生产工序都需要管理，对生产过程进行精细控制，产品出货时要有档案管理。如果有一个产品出问题，马上可以查到数据。目前，日系混合动力车基本上使用三菱电机的模块。
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1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL 1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW 1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL 1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW 1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL 1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW 1200V----3600A
1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3 1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3 1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3 1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3 1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3 1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3 1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3 1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3 1700V----600A
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IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。
1、低功率IGBT
IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为满足家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。
2、U-IGBT
U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，减少沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸zui少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。
3、NPT-IGBT
NPT（非传统型）--IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可降低生产本钱25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IGBT时，NPT—IGBT可靠性zui高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT，并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT，依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列，富士电机、摩托罗拉等在研制之中，NPT型正成为IGBT发展方向。
4、SDB--IGBT
鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大系统。
5、超快速IGBT
整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应，使其能快速关断，研制的超快速IGBT可zui大限度地减少拖尾效应，关断时间不超过2000ns，采用特殊高能照射分层技术，关断时间可在100ns以下，拖尾更短，重点产品专为电机控制而设计，现有6种型号，另可用在大功率电源变换器中。
6、IGBT/FRD
IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD（快速恢复二极管）的新型器件，IGBT/FRD有效结合，将转换状态的损耗减少20%，采用TO—247外型封装，额定规格为1200V、25、50、75、100A，用于电机驱动和功率转换，以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联，在多芯片模块中实现更均匀的温度，进步整体可靠性。
7、IGBT功率模块
IGBT功率模块采用IC驱动，各种驱动保护电路，高性能IGBT芯片，新型封装技术，从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展，其产品水平为1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于变频调速外，600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB，用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB，大大降低电路接线电感，进步系统效率，现已开发成功第二代IPEM，其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。
1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL 1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW 1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL 1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW 1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL 1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW 1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUW
SKiiP 1803 GB172-3DUW
SKiiP 1813 GB123-3DUFL
SKiiP 1814 GB12E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DUL
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3
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京诚宏泰科技销售英飞凌IGBT模块
产品型号 参数说明 封装形式
FF200R06KE3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V 原装
FF300R06KE3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V 原装
FF400R06KE3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V 原装
FF200R06ME3 200A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V，平板螺栓型 原装
FF300R06ME3 300A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V，平板螺栓型 原装
FF400R06ME3 400A，600V@Tc=80℃，IGBT3，饱和压降1.45V，平板螺栓型 原装
FF50R12RT4 50A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF75R12RT4 75A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF100R12RT4 100A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF150R12RT4 150A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF1000R17IE4D_B2
FF650R17IE4D_B2
FF450R17ME3
FF225R17ME4
FF450R12ME3
FF300R12ME3
FF225R12ME4
FF600R06ME3
FF200R17KE4 200A,1700V 原装
FF300R17KE4 300A,1700V 原装
FF150R17KE4 150A,1700V 原装
FF600R12ME4 600V,1200V 原装
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应三菱IGBT模块CM600DY-34H
京诚宏泰科技销售富士IGBT模块
1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
1MBI300F-060、1MBI400F-060、1MBI600LN-060、1MBI600NN-060、1MBI200L-060、1MBI300L-060、1MBI400L-060、1MBI600LP-060、1MBI600NP-060、1MBI150NH-060、1MBI200L-120、1MBI200F-120、1MBI300L-120、1MBI300S-120、1MBI300NN-120、1MBI200S-120B、1MBI200N-120、1MBI300S-120B、1MBI300N-120、1MBI300JN-120、1MBI300JN-140、1MBI300SA-120、1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120
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京诚宏泰科技销售三菱IGBT模块
CM50DY-12H CM75DY-12H
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF
CM200DU-12H CM200DUS-12F
CM300DJB-060 CM300DY-12H
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F
CM200YE4-12F CM600DY-12NF
CM800DU-12H CM600DU-5F
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H
CM400DU-12H CM400DY1-12E
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6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50
三菱功率模块已经广泛用于整流和逆变电路。IGBT是电源或电机驱动用变频电路的开关元件。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求，三菱电机积*力于新型器件的研究、开发，为人类的节能和环保不断努力。目前已开发出的IGBT模块，IPM，DIPIPMTM，MOSFET，HVIGBT等功率模块的主要应用于：通用变频器，伺服驱动器，电源装置，电梯，电焊机，逆变焊机，风力发电，太阳能发电，感应加热器，电动叉车，铁道交通、显示装置，马达控制，焊接机器人，机车主变流器和辅助变流器等
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BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U
BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U
型号2U/600/1200/1700V ） 技术指标 型号(2U 1200V/1700V) 技术指标
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U
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