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安川变频器IGBT模块CM50YE13-12F

安川变频器IGBT模块CM50YE13-12F

型    号: igbt模块CM50YE13-12F
报    价: 1999
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CM50YE13-12F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM50YE13-12F
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,

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Three Level Inverter 三电平IGBT模块CM50YE13-12F

日本Mitsubishi三菱IGBT功率模块CM50YE13-12F

IGBT模块CM50YE13-12F

CM50YE13-12F技术参数:vces=600v ;IC=50A

安川变频器IGBT模块CM50YE13-12F

CM50YE13-12F用中的注意事项
由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:
在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极zui大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。

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北京京诚宏泰科技有限公司专业代理销售:

  • 三菱IGBT模块,1单元IGBT,2半桥IGBT
  • 三菱IPM智能功率模块
  • 三菱快恢复二极管
  • 三菱可控硅
  • 三菱整流桥

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CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM600DU-5F
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM800DU-12H
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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 三电平逆变器拓扑结构正越来越多地用于UPS,包括那些中低额定功率(5-40 kVA)的产品 。   多电平逆变技术是基于一个相当简单的概念: 多个IGBT模块串联起来,使得额定电压远远高于单个IGBT的反向阻断电压。这一概念*是在高压和大功率转换器应用中引入,以便能够在数以万计的额定电压范围内使用标准的IGBT。    在DC / AC转换器中使用多电平逆变器是一种简单的提高效率的方法。该转换器产生一个非常接近正弦波且谐波失真极小的输出波形。这样有两个好处:开关频率比典型的两电平应用要低,从而减少了硅损耗;省去了输出滤波器,使得整体尺寸变小,成本降低。    一个典型的半桥式三相逆变器允许输出电压波形只能在两个电平间切换。相比之下,图1b所示的拓扑结构允许输出电压波形在三个电平间切换,这就是为什么这种结构也被称为三电平逆变器拓扑结构的原因

北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货供应三菱IGBT模块CM50YE4-12F

  ● 应用。需要根据一些特殊应用调整产品。例如电动汽车IGBT与一般工业用的IGBT在技术工艺性能上的主要区别在生产工序,因为是车载产品,需要实现超高品质车载级模块。在IGBT加工工序的开始,每个生产工序都需要管理,对生产过程进行精细控制,产品出货时要有档案管理。如果有一个产品出问题,马上可以查到数据。目前,日系混合动力车基本上使用三菱电机的模块。

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1200V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB12E4-3DL     1200V----1800A
SKIIP1814GB12E4-3DW     1200V----1800A
SKIIP2414GB12E4-4DL     1200V----2400A
SKIIP2414GB12E4-4DW     1200V----2400A
SKIIP3614GB12E4-6DL     1200V----3600A
SKIIP3614GB12E4-6DW     1200V----3600A
1700V-IGBT 3(Trench)-SKIIP 3
SKIIP1013GB172-2DL V3   1700V----1000A
SKIIP1203GB172-2DW V3   1700V----1200A
SKIIP1513GB172-3DL V3   1700V----1500A
SKIIP1803GB172-3DW V3   1700V----1800A
SKIIP2013GB172-4DL V3   1700V----2000A
SKIIP2403GB172-4DW V3   1700V----2400A
SKIIP1513GB172-3DUL V3   1700V----500A
SKIIP603GD172-3DUW V3   1700V----600A

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CM50YE13-12F

IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极性器件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中获得极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术,主要采用1um以下制作工艺,研制开发取得一些新进展。

1、低功率IGBT

IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。

2、U-IGBT

U(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸zui少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。

3、NPT-IGBT

NPT(非传统型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可降低生产本钱25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性zui高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。

4、SDB--IGBT

鉴于目前厂家对IGBT的开发非常重视,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。

5、超快速IGBT

整流器IR公司的研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可zui大限度地减少拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。

6、IGBT/FRD

IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。

7、IGBT功率模块

IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大降低电路接线电感,进步系统效率,现已开发成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层方式掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。


1700V-IGBT 4(Trench)-SKIIP 4
SKIIP1814GB17E4-3DL     1700V----1800A
SKIIP1814GB17E4-3DW     1700V----1800A
SKIIP2414GB17E4-4DL     1700V----2400A
SKIIP2414GB17E4-4DW     1700V----2400A
SKIIP3614GB17E4-6DL     1700V----3600A
SKIIP3614GB17E4-6DW     1700V----3600A
SKiiP 1814 GB12E4-3DUW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DW
SKiiP 1814 GB17E4-3DUW
SKiiP 1803 GB172-3DUW
SKiiP 1813 GB123-3DUFL
SKiiP 1814 GB12E4-3DUL
SKiiP 1813 GB123-3DUL
1200V - IGBT 3 (Trench) - SKiiP3
SKiiP 603 GD123-3DUL V3
SKiiP 603 GD123-3DUW V3
SKiiP 613 GD123-3DUL V3
SKiiP 613 GD123-3DUW V3
SKiiP 1213 GB123-2DL V3
SKiiP 1213 GB123-2DW V3
SKiiP 1813 GB123-3DL V3
SKiiP 1813 GB123-3DW V3
SKiiP 2413 GB123-4DL V3
SKiiP 2413 GB123-4DW V3

 

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京诚宏泰科技销售英飞凌IGBT模块

产品型号 参数说明 封装形式
FF200R06KE3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FF300R06KE3 300A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FF400R06KE3 400A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FF200R06ME3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V,平板螺栓型 原装
FF300R06ME3 300A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V,平板螺栓型 原装
FF400R06ME3 400A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V,平板螺栓型 原装
FF50R12RT4 50A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF75R12RT4 75A,1200V,IGBT4,螺栓型 原装
FF100R12RT4 100A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF150R12RT4 150A,1200V,IGBT4,镙栓型 原装
FF1000R17IE4D_B2 
FF650R17IE4D_B2 
FF450R17ME3 
FF225R17ME4 
FF450R12ME3 
FF300R12ME3
FF225R12ME4 
FF600R06ME3 
FF200R17KE4 200A,1700V 原装
FF300R17KE4 300A,1700V 原装
FF150R17KE4 150A,1700V 原装
FF600R12ME4 600V,1200V 原装

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京诚宏泰科技销售富士IGBT模块

1MBI75L-060、1MBI100L-060、1MBI150L-060、
1MBI300F-060、1MBI400F-060、1MBI600LN-060、1MBI600NN-060、1MBI200L-060、1MBI300L-060、1MBI400L-060、1MBI600LP-060、1MBI600NP-060、1MBI150NH-060、1MBI200L-120、1MBI200F-120、1MBI300L-120、1MBI300S-120、1MBI300NN-120、1MBI200S-120B、1MBI200N-120、1MBI300S-120B、1MBI300N-120、1MBI300JN-120、1MBI300JN-140、1MBI300SA-120、1MBI400N-120、1MBI400JN-120、1MBI400JN-140、1MBI400SX-140、1MBI600LP-120、1MBI600PX-140、1MBI400L-120、1MBI400S-120、1MBI400NN-120、1MBI400NP-120、1MBI600LN-120、1MBI600PX-120

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京诚宏泰科技销售三菱IGBT模块

CM50DY-12H CM75DY-12H 
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H 
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF 
CM200DU-12H CM200DUS-12F 
CM300DJB-060 CM300DY-12H 
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
 CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF 
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E 
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E 
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E 
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E 
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F 
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F 
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F 
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F 
CM200YE4-12F CM600DY-12NF 
CM800DU-12H   
CM600DU-5F
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F 
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E 
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H 
CM400DU-12H CM400DY1-12E 

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6SY7000-0AA30 6SY7000-0AB30 6SY7000-0AC30
6SY7000-0AA31 6SY7000-0AB31 6SY7000-0AC31
6SY7000-0AA32 6SY7000-0AB32 6SY7000-0AC32
6SY7000-0AA33 6SY7000-0AB33 6SY7000-0AC33
6SY7000-0AA34 6SY7000-0AB34 6SY7000-0AC34
6SY7000-0AA35 6SY7000-0AB35 6SY7000-0AC35
6SY7000-0AA36 6SY7000-0AB36 6SY7000-0AC36
6SY7000-0AA37 6SY7000-0AB37 6SY7000-0AC37
6SY7000-0AA38 6SY7000-0AB38 6SY7000-0AC38
6SY7000-0AA39 6SY7000-0AB39 6SY7000-0AC39
6SY7000-0AA40 6SY7000-0AB40 6SY7000-0AC40
6SY7000-0AA41 6SY7000-0AB41 6SY7000-0AC41
6SY7000-0AA42 6SY7000-0AB42 6SY7000-0AC42
6SY7000-0AA43 6SY7000-0AB43 6SY7000-0AC43
6SY7000-0AA44 6SY7000-0AB44 6SY7000-0AC44
6SY7000-0AA45 6SY7000-0AB45 6SY7000-0AC45
6SY7000-0AA46 6SY7000-0AB46 6SY7000-0AC46
6SY7000-0AA47 6SY7000-0AB47 6SY7000-0AC47
6SY7000-0AA48 6SY7000-0AB48 6SY7000-0AC48
6SY7000-0AA49 6SY7000-0AB49 6SY7000-0AC49
6SY7000-0AA50 6SY7000-0AB50 6SY7000-0AC50

三菱功率模块已经广泛用于整流和逆变电路。IGBT是电源或电机驱动用变频电路的开关元件。为了真正满足市场对装置噪音低、效率高、体积小、重量轻、精度高、功能强、容量大的要求,三菱电机积*力于新型器件的研究、开发,为人类的节能和环保不断努力。目前已开发出的IGBT模块,IPM,DIPIPMTM,MOSFET,HVIGBT等功率模块的主要应用于:通用变频器,伺服驱动器,电源装置,电梯,电焊机,逆变焊机,风力发电,太阳能发电,感应加热器,电动叉车,铁道交通、显示装置,马达控制,焊接机器人,机车主变流器和辅助变流器等
BSM200GA120DN2 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DN2 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DN2 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DN2 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DN2 400A/1200V/1U 
BSM400GA170DLC 400A/1700V/1U 
BSM200GA120DLC 200A/1200V/1U 
BSM200GA170DLC 200A/1700V/1U 
BSM300GA120DLC 300A/1200V/1U 
BSM300GA170DLC 300A/1700V/1U 
BSM400GA120DLC 400A/1200V/1U  
型号2U/600/1200/1700V ) 技术指标 型号(2U  1200V/1700V) 技术指标 
BSM50GB60DLC 50A/600V/2U 
BSM75GB170DN2 75A/1700V/2U 
BSM75GB60DLC 75A/600V/2U 
BSM100GB170DN2 100A/1700V/2U 
BSM100GB60DLC 100A/600V/2U 
BSM150GB170DN2 150A/1700V/2U 
BSM150GB60DLC 150A/600V/2U
BSM200GB170DLC 200A/1700V/2U 
BSM200GB60DLC 200A/600V/2U 
BSM25GAL120DN2 25A/1200V/2U 
BSM300GB60DLC 300A/600V/2U 
BSM50GAL120DN2 50A/1200V/2U 
BSM25GB120DN2 25A/1200V/2U 
BSM75GAL120DN2 75A/1200V/2U 
BSM35GB120DN2 35A/1200V/2U 
BSM100GAL120DN2 100A/1200V/2U 
BSM50GB120DN2 50A/1200V/2U 
BSM150GAL120DN2 150A/1200V/2U 


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