详细资料：
北京京诚宏泰科技有限公司三菱IGBT模块CM400DU-12NF
日本Mitsubishi三菱IGBT功率模块CM400DU-12NF
2单元半桥IGBT模块CM400DU-12NF
CM400DU-12NF技术参数：vces=600v ；IC=400A
CM400DU-12NF用中的注意事项
由于
IGBT模块为MOSFET结构，IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄，其击穿电压一般达到20～30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点：
在使用模块时，尽量不要用手触摸驱动端子部分，当必须要触摸模块端子时，要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后，再触摸; 在用导电材料连接模块驱动端子时，在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极zui大额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
北京京诚宏泰科技有限公司三菱IGBT模块CM400DU-12NF
北京京诚宏泰科技有限公司销售：
三菱IGBT模块，1单元IGBT,2半桥IGBT
三菱IPM智能功率模块
三菱快恢复二极管
三菱可控硅
三菱整流桥
北京京诚宏泰科技有限公司IGBT模块CM400DU-12NF
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF
CM200DU-12H CM200DUS-12F
CM600DU-5F
CM300DJB-060 CM300DY-12H
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
CM50E3Y-12E CM50E3U-12E
CM75E3U-12E CM75E3Y-12E
CM100E3U-12E CM100E3Y-12E
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F
CM200YE4-12F CM600DY-12NF
CM800DU-12H
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H
CM400DU-12H CM400DY1-12E
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IGBT芯片发展进程
IGBT芯片始于19世纪80年代中期。30年以来，就FOM(优点指数)来说，今日的IGBT芯片比*代性能提升了20倍左右，其中改良技术包括：精细化加工工艺、栅式IGBT的开发(如三菱电机的CSTBT)，以及薄晶圆的开发等等。如今，三菱电机的IGBT芯片已经踏入第7代，正朝第8代迈进。
随着产品的更新换代，功耗越来越低，尺寸越来越小。从80年代中期至今，芯片尺寸只是原来的1/4。
根据IGBT电流容量和市场需求，功率器件分成四大类，包括用于家电变频器的小功率器件，用于工业的较大功率器件，应用在电动汽车的中功率器件，用于电力和牵引的大功率器件。今后都将朝高电流密度、小型化封装及低损耗方向演进。
具体改良措施
三菱电机第7代IGBT模块，功耗降低了约15%~20%，分NX(通用)系列和STD(标准)系列两种封装，取消了绝缘基板，提高了散热性，使产品变得更轻，效率提升了35%。为了降低反复开关造成的噪音，三菱电机增强了通过栅极电阻调节dv/dt的可控性。
● 晶圆片更薄。芯片变薄，使功耗得以降低，但变薄后耐压特性会变差，所以要适度逐层调整，才能使之更耐用和更有效。第7代IGBT芯片涵盖的电压等级有600V、1200V和1700V。 在晶圆尺寸方面，从2000年开始的5英寸，发展至今日的8英寸，zui薄达到50微米。晶圆还会继续朝12英寸发展，产品变得更薄，电阻更低。
目前之所以8英寸晶圆是主流，除了晶圆尺寸外，还要考虑基板问题。现在还没有供应商能提供12英寸稳定高压IGBT使用的基板;反观8英寸单晶硅的硅板基板供货稳定，价格比12英寸低很多。
● 封装。功率器件的封装技术决定其散热性能。为了保护裸晶圆不受外界干扰，IGBT及IPM模块都要封装起来，甚至把功能集成起来，这样使用起来更方便及安全，也缩短客户产品开发周期。在一代的封装技术中，三菱电机采用了针型散热器，结合到铜基板或铝基板上，系统将更小型化。北京京诚宏泰科技有限公司IGBT模块CM400DU-12NF
● 应用。需要根据一些特殊应用调整产品。例如电动汽车IGBT与一般工业用的IGBT在技术工艺性能上的主要区别在生产工序，因为是车载产品，需要实现高品质车载级模块。在IGBT加工工序的开始，每个生产工序都需要管理，对生产过程进行精细控制，产品出货时要有档案管理。如果有一个产品出问题，马上可以查到数据。目前，日系混合动力车基本上使用三菱电机的模块。
IXYS的HiPerMOSFET，由于内置了恢复速度快，恢复特性良好的二极管，无论在动态和静态状态下，dv/dt的特性都得以提高，从而使HiPerFET在更恶劣的条件下也能安全工作，因此，它适合在各种感性负载作为开关器件。
其中的Q-classMOSFET，在此基础上采用了新的芯片技术，减少了门极充电电量Qg和米勒电容Crss，因而大大的提高了器件的开关效率和频率。
京诚宏泰科技销售三菱IGBT模块
CM50DY-12H CM75DY-12H
CM75DU-12H CM100DY-12H CM100DU-12H
CM100DUS-12F CM150DY-12H
CM150DU-12H CM150DUS-12F CM150DY-12NF
CM200DY-12H CM200DY-12NF
CM200DU-12H CM200DUS-12F
CM300DJB-060 CM300DY-12H
CM300DY-12NF CM300DY-12E CM300DY-12
CM300DY-12G CM300DU-12H CM300DU-12NF
CM350DU-5F CM400DU-5F
CM400DY-12H CM400DU-12NF
CM400DY-12 CM400DY1-12H CM400DY-12NF
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CM100E3U-12E CM100E3Y-12E
CM150E3Y-12E CM150E3U-12E
CM200E3Y-12E CM200E3U-12E
CM300E3Y-12E CM300E3U-12E
CM300E2U-12H CM400YE2P-12F
CM400YE2N-12FCM300YE2N-12F
CM300YE2P-12F CM600YE2N-12F
CM600YE2P-12F CM110YE4-12F
CM150YE4-12F CM165YE4-12F
CM200YE4-12F CM600DY-12NF
CM800DU-12H
CM600DU-5F
CM50DY-12E CM75DY-12E CM75DU-12F
CM100DY-12E CM100DU-12F
CM150DY-12E CM150DU-12F CM200DY-12E
CM200DU-12F CM300DU-12F
CM300DU-12H CM400DU-12H
CM400DU-12H CM400DY1-12E
