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黑金刚NIPPON电解电容 250V 10000UF

黑金刚NIPPON电解电容 250V 10000UF

型    号: EKMH251LGC103MEE0M
报    价: 999
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北京京诚宏泰科技有限公司供应黑金刚NIPPON电解电容 250V 10000UF
EKMH251LGC103MEE0M

详细资料:

北京京诚宏泰科技有限公司供应黑金刚NIPPON电解电容 250V 10000UF

日本NIPPON黑金刚KMH系列大型铝电解电容器EKMH251LGC103MEE0M

黑金刚NIPPON电解电容 250V 10000UF

105℃ 2,000 小时

EKMH251LGC103MEE0M系列:KMH系列

EKMH251LGC103MEE0M类型:铝电解电容

EKMH251LGC103MEE0M特点:105℃标准品;纹波负荷;RoHS指令适应品

EKMH251LGC103MEE0M参数:容量:10000μF;耐压:250vdc;额定纹波电流:10.0Arms/105℃,120Hz

铝电解电容器由于在纹波电流叠加时自我发热、温度上升而老化,每升温 5℃寿命减少一半。要想保持长寿命请在使用过程中降低纹波电流。

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日本NIPPON黑金刚KMH系列大型铝电解电容产品参数:

①.高纹波铝电解电容

②.耐高温铝电解电容

③.长寿命铝电解电容

④.高频低阻铝电解电容铝电解电容器的芯子是由阳极铝箔、电解纸、阴极铝箔、电解纸等380层重迭卷绕而成; 芯子含浸电解液后,

用铝壳和胶盖密闭起来构成一个电解电容器。同其它类型的电容器相比, 铝电解电容器在结构上表现出如下明显的特点:  

(1)铝电解电容器的工作介质为通过阳极氧化的方式在铝箔表面生成一层极薄的三氧化二铝(Al2O3), 此氧化物介质层和电容器的阳极结合成一个完整的体系,两者相互依存,不能彼此独立;我们通常所说的电容器, 其电极和电介质是彼此独立的。

(2)铝电解电容器的阳极是表面生成Al2O3介质层的铝箔,阴极并非我们习惯上认为的负箔,而是电容器的电解液。 

(3)负箔在电解电容器中起电气引出的作用,因为作为电解电容器阴极的电解液无法直接和外电路连接, 必须通过另一金属电极和电路的其它部分构成电气通路。 北京京诚宏泰科技有限公司

(4)铝电解电容器的阳极铝箔、阴极铝箔通常均为腐蚀铝箔,实际的表面积远远大于其表观表面积, 这也是铝质电解电容器通常具有大的电容量的一个原因。由于采用具有众多微细蚀孔的铝箔,

铝电解电容

铝电解电容是什么?

铝电解电容是一种用铝材料制成的电性能好、适用范围宽、可靠性高的通用型电解电容器。

铝电解电容的特点与优点

  • 铝电解电容是由铝圆筒做负极,里面装有液体电解质,插入一片弯曲的铝带做正极而制成。北京京诚宏泰科技有限公司

  • 铝电解电容的芯子是由阳极铝箔、浸有电解液的衬垫纸、阴极铝箔、天然氧化膜等重叠卷绕而成的,芯子含浸电解液后用铝壳和胶盖密闭起来就构成一个电解电容器。

  • 一般情况下,铝电解电容的铝壳外面都有一个塑料套管。套管颜色五颜六色,它不仅美观,而具有特定的意义。

  • 铝电解电容具有很高的电容级别,这可使电容器适用于很多不同的领域。

  • 全新改进的电容器设计采用回流技术,而非焊接,这使其可更广泛地用于表面安装式应用(一种形成电路的方法)。

铝电解电容的应用

  • 铝电解电容适用于很多领域,如电源、计算机主板和家用电器。

  • 铝电解电容还通常用作各种不同电源中的滤波设备,用于减少电压纹波。北京京诚宏泰科技有限公司

北京京诚宏泰科技为您提供了不同品牌的铝电解电容,如尼吉康、红宝石、威世等多款不同规格、型号的产品供您挑选,从而满足不同的应用场景需求。



产品详细信息

波纹电流耐受性:2,000 小时 @ 105℃ 北京京诚宏泰科技有限公司非耐溶剂型
符合 RoHS2

产品技术参数
属性数值
电容值10000 µF
电压250 V 直流
安装类型螺栓式
技术电解
尺寸26.4 (Dia.) x 50mm
高度50mm
工作温度-40°C
直径26.4mm
最高工作温度+105°C
寿命时间2000h
引线节距10mm
容差±20%
泄漏电流3 mA
系列KMH
纹波电流3.3Arms
极化极性

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC,美国IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼尔;yaskawa安川;

英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、

日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON,法国汤姆逊TPC,日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;

红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC,BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容;瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板,电源板,通信板,接口板

操作面板  

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EKMH251LGB122MA80M

EKMH251LGB152MAA0M

EKMH251LGB182MAC0M

EKMH251LGC222MC80M

EKMH251LGC272MCA0M

EKMH251LGC332MCC0M

EKMH251LGC392MCC0M

EKMH251LGC472MDC0M

EKMH251LGC562MDC0M

EKMH251LGC682MEC0M

EKMH251LGC822MEC0M

EKMH251LGC103MEE0M

EKMH251LGC123MFE0M


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EKMH351LGB221MA50M

EKMH351LGB271MA50M

EKMH351LGB331MA50M

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EKMH351LGB471MA60M

EKMH351LGB561MA80M

EKMH351LGB681MA80M

EKMH351LGB821MAA0M

EKMH351LGB102MAC0M

EKMH351LGC122MC80M

EKMH351LGC152MCA0M

EKMH351LGC182MCC0M

EKMH351LGC222MCC0M

EKMH351LGC272MDA0M

EKMH351LGC392MEC0M

EKMH351LGC562MED0M

EKMH351LGC682MEE0M

EKMH351LGC822MFE0M


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EKMH401LGB681MAA0M

EKMH401LGB821MAC0M

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EKMH401LGC122MCA0M

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