FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50

型号：	6MBI75S-120-50
报价：	888

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FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模块发射极-集电极、六（3x双）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

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北京京诚宏泰科技原装正品销售FUJI富士IGBT模块6MBI75S-120-50 ；N通道 IGBT 模块发射极-集电极、六（3x双）, 100A 1200V, 21针 M626封装

zui大功率耗散   520 W
   zui大栅极发射极电压   ±20V
   zui大连续集电极电流   100 A
   zui大集电极-发射极电压   1200 V
   zui高工作温度   +150 °C
   通道类型   N
   配置   发射极-集电极、六（3x双）
   长度   122mm
   高度   17mm

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