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英飞凌高频IGBT模块FF200R12KS4

英飞凌高频IGBT模块FF200R12KS4

型    号: FF200R12KS4
报    价: 999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

北京京诚宏泰科技原装正品现货销售英飞凌高频IGBT模块FF200R12KS4

集电极—射极击穿电压: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 3.2 V

集电极zui大连续电流 Ic: 200 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 1.4 KW

封装 / 箱体: IS5a ( 62 mm )

集电极—发射极zui大电压 VCEO: 1200 V

栅极/发射极zui大电压: 20 V

zui大工作温度: + 125℃

zui小工作温度: - 40℃

适用于电焊机 感应加热 高频率等高频硬开关

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