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英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

型    号： FZ1500R33HE3
报    价： 9999
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3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

详细资料：

IHM-B module with fast Trench/Field stop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

VCES= 3300V ，IC nom= 1500A / ICRM= 3000A

产品特点: 高直流稳定；高短路能力；自我限制短路电流；低开关损耗；的鲁棒性；T(vj op)= 150°C；用正温度系数低V(cesat)；AlSiC底板增加热循环能力；包与CTI > 400；孤立的基板

 

FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C

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