富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

型号：	1MBI300S-120
报价：	1666

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小

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详细资料：

1200V / 300A 1 in one-package
Features
· High speed switching
· Voltage drive
· Low inductance module structure
Applications
· Inverter for Motor drive
· AC and DC Servo drive amplifier
· Uninterruptible power supply
· Industrial machines, such as Welding machines
Maximum ratings and characteristics
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)

日本富士 IGBT 模块（耐压600/1200/1400/1800/2000V）系列：
日本富士 IGBT 1单元600V系列：
1MBH50D-060	1MBH50-090	1MBH60-100	1MBH60D-100
1MBI30L-060	1MBI50L-060	1MBI75FE-060	1MBI75L-060
1MBI100L-060	1MBI150NH-060	1MBI150NK-060	1MBI200NH-060
1MBI200NK-060	1MBI300L-060	1MBI300N-060	1MBI300F-060
1MBI400F-060	1MBI400L-060	1MBI400N-060	1MBI600LP-060
1MBI600LN-060	1MBI600NP-060	1MBI600NN-060
日本富士 IGBT 1单元1200V系列：
1MBI200L-120	1MBI200N-120	1MBI200S-120	1MBI200F-120
1MBI300F-120	1MBI300L-120	1MBI300N-120	1MBI300S-120
1MBI300JN-120	1MBI300JB-120	1MBI300NP-120	1MBI300NN-120
1MBI400JN-120	1MBI400JP-120	1MBI400NP-120	1MBI400NN-120
1MBI400NA-120	1MBI400L-120	1MBI400N-120	1MBI400S-120
1MBI600PX-120
日本富士 IGBT 1单元1400/1800/2000V系列：
1MBI600PX-140	1MBI800PN-180	1MBI400L-200	1MBI400A-200

北京京诚宏泰科技有限公司

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