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英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

型    号: FZ1200R16KF4_S1
报    价: 9999
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

详细资料:

德国英飞凌1单元IGBT 系列:
FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4-S1FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C

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