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英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

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英飞凌IGBT模块FF450R17ME3
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块 IPM模块 可控硅 晶闸管 电容

详细资料:

英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

销售国内外电力电子器件和功率模块;主要经销德国infneon(英飞凌);EUPEC(优派克)、西门康、IXYS、AEG、TYCO,日本三菱、富士、东芝、日立、三社、三肯、因达,美国IR,瑞士ABB,英国西玛,西班牙CAEC等公司生产的GTR、IGBT、IPM、PIM、可控硅、GTO、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、日之出(HINODE)、法国罗兰

英飞凌IGBT模块FF450R17ME3

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IGBT

IGBT是什么?

IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。

  • 优点:热稳定性好、安全工作区大。

  • 缺点:击穿电压低,工作电流小。

IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。

  • 特点:击穿电压可达1200V,集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

  • 电动机

  • 不间断电源

  • 太阳能面板安装

  • 电焊机

  • 电源转换器与反相器

  • 电感充电器

  • 电磁炉

德国英飞凌(EUPEC)2单元IGBT 系列:
FF200R06KE3FF200R06ME3FF300R06KE3FF300R06ME3
FF400R06KE3FF400R06ME3FF75R10KNFF100R12YT3
FF100R12KS4FF150R12KE3GFF150R12KE3FF150R12KT3
FF150R12KS4FF200R12KS4FF200R12KE3FF200R12KT3
FF200R33KF2CFF200R17KE3FF300R12ME3FF300R12ME3EN
FF300R12MS4FF300R12KS4FF300R12KE3FF300R12KT3
FF300R17KE3FF400R12KE3FF450R12KF4FF400R12KF4
FF400R12KL4CFF400R16KF4FF450R12ME3ENGFF400R33KF2-B3
FF400R33KF1FF450R12KE4FF450R12KT4FF600R12KF4
FF600R12IE4FF600R12KE3FF600R12KL4CFF600R16KF4
FF600R17KF6FF600R17KF6B2FF600R17KF4FF800R12KE3
FF800R12KL4CFF800R12KF4FF800R16KF6FF800R17KF6-B2
FF800R17KE3(EQ53AJ)FF800R17KF6(EQ53AJ)FF400R33KF2FF150R12MT4
FF1200R17KE3FF1400R12IP4FF150R12KT3G




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