详细资料：
日立IGBT模块MBL1000E33E-B
北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块;半导体功率模块;变频器配件
日立IGBT模块MBL1000E33E-B
产品参数：
IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管——适用于牵引和工业应用的解决方案
3300V IGBT模块型号：
MBN1200D33A
MBN1200H45E2-H
MBN1500E33E3
MBN1200E25E
MBL800E33C
MBL400E33D
MBL1000E33E-B
MBL1000E33E2-B
MBN800E33D-P
MBN1200E33C
MBN1500E33C
MBN1200D33C
MBN1000GR12A
MBN1200E17D
MBN1200E33D
MBN1200E33E
MBN1500E33E
MBN1800D17C
MBN800E33D
MBN800E33E
MDM1200H45E2-H
MBN1200H45E2-H
MDM800E33D
MBN750H65E2
MDM750H65E2
FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模块FZ1000R33HL3
IGBT模块FZ1000R33HE3
IGBT模块FZ1200R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HL3
IGBT模块FZ1600R33HE4
IGBT模块FZ1400R33HE4
IGBT模块FZ2400R33HE4
IGBT模块FF450R33T3E3
IGBT模块FZ825R33HE4D
如何计算IGBT器件的工作结温Tvj？
ChatGPT是这样说的：
要计算IGBT器件的工作结温Tvj，需要考虑以下几个因素：
1 | IGBT芯片的功率损耗。这个值可以通过IGBT芯片厂家提供的datasheet中查到。通常来说，功率损耗越大，工作结温就越高。 |
2 | IGBT芯片的封装方式。不同的封装方式会影响散热效率。一般来说，背面带有散热片的封装方式散热效果较好。 |
3 | 外部散热器的散热能力。外部散热器的散热能力也会影响工作结温。散热器的大小、材料以及通风情况都会影响散热效果。 |
如果考虑了以上因素后，可以使用以下公式计算IGBT器件的工作结温Tvj：
Tvj = Ta + Pd*Rthjc
其中， Ta是环境温度，Pd是IGBT芯片的功率损耗，Rthjc是芯片与散热器结合部的热阻。
需要注意的是，这个公式只考虑了IGBT芯片本身的散热情况，并没有考虑整个系统的散热能力。因此，在实际应用中，还需要结合具体的系统情况来确定IGBT器件的工作结温
特征描述
产品规格：
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿：1700 V
电流 - 集电极 (Ic)：2400 A
电流 - 集电极截止：100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-62MM
产品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 过载
高爬电距离和电气间隙
符合 RoHS 标准
4 kV AC 1 分钟绝缘
CTI > 400 的封装
通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证
TRENCHSTOP™ IGBT7晶片
改進的EconoDUAL™ 3封裝
225、750和900A，1700V半橋模塊
的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）
在過載情況下工作結溫可達到175°C
壓接式控制引腳
日立IGBT模块MBL1000E33E-B
优势：
具有高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率
高功率密度
避免 IGBT 模块并联
通过简化逆变器系统降低系统成本
灵活性
高的可靠性
产品应用领域：
不间断电源（UPS）
储能系统
电机控制和驱动
商用、建筑和农用车辆 (CAV)
变频器
北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。
销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、
SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；
英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、
日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),
Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；
红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板
操作面板
日立IGBT模块MBL1000E33E-B
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司供应日立IGBT模块MBL1000E33E-B
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
