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日立IGBT模块MBL400E33D

日立IGBT模块MBL400E33D

型    号： MBL1000E33E-B
报    价： 9999
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日立IGBT模块MBL400E33D
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；晶闸管；二极管模块；整流桥模块；PLC模块；电容；变频器备件
3300V IGBT英飞凌MBL400E33D

详细资料：

日立IGBT模块MBL400E33D

北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；电容；晶闸管；IPM模块;半导体功率模块;变频器配件

日立IGBT模块MBL400E33D

产品参数：


IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 单开关 IGBT 模块，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低开关损耗和发射极控制二极管——适用于牵引和工业应用的解决方案

MBN1200D33A

MBN1200H45E2-H

MBN1500E33E3

MBN1200E25E

MBL800E33C

MBL400E33D

MBL1000E33E-B

MBL1000E33E2-B

MBN800E33D-P

MBN1200E33C 

MBN1500E33C

IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2

IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B

ACM（IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi  MBL400E33D3EGM065727R0001

3300V IGBT模块型号：

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
FZ800R33KF2C
FZ1200R33KF2C
IGBT模块FZ1000R33HL3
IGBT模块FZ1000R33HE3
IGBT模块FZ1200R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HE3
IGBT模块FZ1500R33HL3
IGBT模块FZ1600R33HE4
IGBT模块FZ1400R33HE4
IGBT模块FZ2400R33HE4
IGBT模块FF450R33T3E3
IGBT模块FZ825R33HE4D



日立IGBT模块MBL400E33D


IGBT模块的优势



IGBT模块相较于其他功率器件具有许多优势，这些优势使得它们备受欢迎：
高功率承受能力：由于IGBT模块内部集成了多个器件，因此它们能够处理高功率负载，适用于要求大电流和高功率的应用。
高电压能力：IGBT模块的设计允许多个IGBT器件串联工作，因此它们能够承受高电压，适用于需要高电压控制的场合。
高效性能：IGBT模块具有低导通电阻和低开关损耗，从而实现高效的能量转换。这有助于减少能源浪费和热量产生。
高开关速度：IGBT模块具有快速的开关速度，能够迅速响应控制信号，适用于高频率应用。
集成驱动电路：IGBT模块通常集成了驱动电路，简化了系统设计，减少了外部元件的需求。
保护功能：IGBT模块集成了多种保护功能，提高了系统的稳定性和安全性。
可靠性：IGBT模块经过精密设计和制造，具有高度的可靠性，适用于恶劣的工作环境。



综合上述优势，IGBT模块已经成为能量转换和电力控制领域的的组成部分，广泛应用于电机驱动、电力传输、可再生能源、工业控制和医疗设备等领域。



1700V IGBT模块型号：

FZ1800R17KF4

FZ1200R17KF6C_B2

FZ1600R17KF6C_B2

FZ2400R17KF6C_B2

FZ1200R17KF4

FZ1200R17HE4


FZ1200R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B2
FZ1600R17HP4_B21
FZ1800R17HP4_B29
FZ2400R17HP4_B2
FZ2400R17HP4_B28
FZ2400R17HP4_B29
FZ3600R17HP4_B2


FZ1200R17HP4
FZ1600R17HP4
FZ1800R17HP4_B9
FZ2400R17HP4
FZ2400R17HP4_B9
FZ3600R17HP4
IGBT4 Fast (IHM B) 1)
FZ1200R17HE4
FZ1800R17HE4_B9
FZ2400R17HE4_B9
FZ3600R17HE4






特征描述

  • 高直流电压稳定性

  • 高短路能力

  • 自限制短路电流

  • 低开关损耗

  • 出色的坚固性

  • Tvj op = 150°C

  • 低 VCEsat，具有正温度系数

  • 铝碳化硅基板，用于提高热循环能力

  • 封装的 CTI > 600

  • 绝缘基板



日立IGBT模块MBL400E33D

产品规格：

IGBT 类型：沟槽型场截止

配置：半桥

电压 - 集射极击穿：1700 V

电流 - 集电极 (Ic)：2400 A

电流 - 集电极截止：100 µA

不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：AG-62MM

产品特征：

高功率密度

的 VCE，SAT

Tvj op = 175°C 过载

高爬电距离和电气间隙

符合 RoHS 标准

4 kV AC 1 分钟绝缘

CTI > 400 的封装

通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证

TRENCHSTOP™ IGBT7晶片

改進的EconoDUAL™ 3封裝

225、750和900A，1700V半橋模塊

的二極體，750A IGBT配1200A二極體（僅FF750R17ME7D_B11）

在過載情況下工作結溫可達到175°C

壓接式控制引腳

日立IGBT模块MBL400E33D

优势：

具有高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率

高功率密度

避免 IGBT 模块并联

通过简化逆变器系统降低系统成本

灵活性

高的可靠性

产品应用领域：

不间断电源（UPS）

储能系统

电机控制和驱动

商用、建筑和农用车辆 (CAV)

变频器

日立IGBT模块MBL400E33D

北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。

销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块；主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、

SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC，美国IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼尔；yaskawa安川；

英国西玛，西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法国罗兰（FERRAZ）、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON，法国汤姆逊TPC，日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

红宝石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC，BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容；瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板，电源板，通信板，接口板

操作面板

英飞凌IGBT模块FZ1000R33HL3_S2

IGBT是什么？

IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT与MOSFET的对比

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。

优点：热稳定性好、安全工作区大。

缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司日立IGBT模块MBL400E33D

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。

特点：击穿电压可达1200V，集电极饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

IGBT的典型应用

电动机

不间断电源

太阳能面板安装

电焊机

电源转换器与反相器

电感充电器

电磁炉

日立IGBT模块MBL400E33D

第七代IGBT型号：

FF900R12ME7P_ B11

FF450R12ME7_ B11

FF900R12ME7W_ B11

FF900R12ME7_ B11

FF600R12ME7_ B11

FF800R12KE7

FF300R12ME7_ B11

FF750R12ME7_ B11

FF750R17ME7D_ B11

FF225R17ME7_ B11

FF1800R23IE7P

FF1800R23IE7

FF2400RB12IP7P

FF2400RB12IP7


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