详细资料:
供应三菱铁路机车IGBT模块CMH1200DC-34S
高压IGBT晶体管模块CMH1200DC-34S
SiC功率模块CMH1200DC-34S
北京京诚宏泰科技有限公司供应三菱铁路机车IGBT模块CMH1200DC-34S
SiC功率半导体系列产品有助于进一步提高轨道交通车辆驱动系统和直流输电等电力相关系统逆变器等功率转换设备的节能效果和效率,缩小体积。
FMF185DC-66A
FMF375DC-66A
FMF750DC- 66A
FMF750DC-66A-1
CMH600DC-66X
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH400DU-24NFH
CMH600DU-24NFH
CMH400HC6-24NFM
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
北京京诚宏泰科技有限公司销售IGBT模块CMH1200DC-34S晶体管
优点:热稳定性好、安全工作区大。
缺点:击穿电压低,工作电流小。
IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。
轨道车辆中广泛采用IGBT模块构成牵引变流器以及辅助电源系统的恒压恒频(CVCF)逆变器。国外的地铁或轻轨车辆辅助系统都采用方案多样的IGBT器件。
动车组中,主变流器的开关使用耐压高达6500V/600A的IGBT器件,辅助变流器采用开关频率为1950Hz的PWM技术,由3台双IGBT和相关反并联二极管组成,每台双IGBT组成三相中的一相
CM800HA-34H
CM2400HC-34N
CM800HB-50H
CM1200HG-66H
CM900HG-90H
CM1200DB-34N
CM800HA-50H
CM1200HC-50H
CM1800HC-66R
CM200HG-130H
CM1800HC-34H
CM1200HB-66H
CM800E6C-66H
CM600HG-90H
CM400HG-130H
CM1800HC-34N
CM1200HC-66H
CM1200HA-66H
CM800HG-90R
CM750HG-130R
X系列HVIGBT利用了第7代芯片的优势,IGBT采用了CSTBT (III)(Carrier Stored Trench-Gate Bipolar Transistor)芯片技术,续流二极管采用RFC (Relaxed Field of Cathode)结构。这两种芯片技术可以实现通态损耗、开关损耗的降低和增强的开关性能,同时扩展了鲁棒性、低损耗和SOA这三项技术边界。其饱和压降和反并联二极管的正向压降与H系列HVIGBT相比 北京京诚宏泰科技有限公司
对于动车组,推荐的HVIGBT型号如下:
对于地铁或轻轨,推荐的HVIGBT型号如下
产品属性 | 属性值 | |
---|---|---|
Misubsh Elecric | ||
IGBT 模块 | ||
供应商: | 北京京诚宏泰科技有限公司 | |
RoHS: | N | |
IGBT Silicon Modules | ||
Triple | ||
1700 V | ||
3.45 V | ||
800 A | ||
0.5 uA | ||
11300 W | ||
Module | ||
- 40 C | ||
+ 125 C | ||
Bulk | ||
商标: | Misubih Electc | |
栅极/发射极电压: | 20 V | |
安装风格: | SMD/SMT | |
产品类型: | IGBT Modules | |
系列: | CMH1200DC-34S | |
2 | ||
子类别: | IGBTs | |
技术: | Si |
CPPP
M1200HC-50H除了IGBT外, 该模块还包括集成式(集成的)门驱动电路,以及检测和防止过流、过压、过热和门驱动电压不足(门极驱动欠压)等故障的电路。
电力机车牵引的两电平变频器IPM模块PM1200HCE330-1
HVIPM(High Voltage Inligent Power Module)为了进一步发挥IGBT芯片的性能,采用的驱动电路,是将自我保护(过电流、控制电源电压降低、过热)功能等实现IC化的高性能模块。为大容量变换器装置的小型化和节能化贡献力量,作为IPM,产品阵容中的zui大额定值达到3.3kV/1.2kA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货北京京诚宏泰科技有限公司供应IGBT模块CMH1200DC-34S
PM1200HCE330-1主要用途变换器装置 / 换流器装置 / DC斩波器装置
CM900HC-90H 203
CM900HC-90H 204
CM900HB-90H
CM900HG-90H
CM1200HC-66H
CM1200HB-66H 209
CM1200HG-90R
MG900GXH1US53
CM750HG-130R
CM600HG-130H
DTR0000205475/H
FZ1500R33HE3
IGBT逆变模块IGBT inverter module3EST000223-1474IGBT 3300V 1500A MBN1500E33E2
IGBT制动模块IGBT braking module3EST000223-2841IGBT 斩波器3300V 1000A MBL1000E33E2-B
ACM(IGBT-module3300V 400A)3EGM065727R0001Hitachi MBL400E33D3EGM065727R0001
北京京诚宏泰科技有限公司是一家集渠道、分销、经销 、直销及OEM模式为一体的电力电子半导体销售和电力电子行业解决方案的产业链供应商。
专业销售国内外品牌电力电子半导体器件、变频器、变频器配件、铝电解电容和功率模块;主要经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、
SIEMENS西门子、西门康Semikron、 IXYS艾赛斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科,DYNEX 丹尼克斯、Vacon伟肯、Mitsubishi三菱、
Fuji富士、Fairchild飞兆半导体、TOSHIBA东芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因达NIEC,美国IR,瑞士ABB,POWERSEM,NELL尼尔;yaskawa安川;
英国西玛,西班牙CATELEC等公司生产的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶闸管、GTO、GTR达林顿、整流桥、二极管、场效应模块;日本富士(FUJI)、
日之出(HINODE)、法国罗兰(FERRAZ)、英国GOULD、美国BUSSMANN快速熔断器;KEMET,意大利Arcotronics(AV),
Itelcond,意大利FACON,德国伊凯基ELECTRONICON,法国汤姆逊TPC,日本日立、黑金刚NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon;
红宝石,epcos艾普科斯、瑞典RIFA力发、英国BHC,BHC Aerovox 电解电容以及美国CDE无感电容;瑞士CONCEPT IGBT驱动、光耦、变频器主控板、驱动板,电源板,通信板,接口板
操作面板
CM800DZ-34H
CM2400HC-34N
CM800HC-66H
CM1500HC-66R
CM1000HC-66R
DD600N16K-A
5SNA 1200E330100
CM1200HG-66H
FZ1200R33KL2C_B5
ST1200FXF22
CM900HB-90H
MG900GXH1US53
CM750HG-130R
CM1200HG-90R
T0900EA45A
5SNA 0600G650100
CM400HG-130H
CM600HG-130H
CM400HG-130H
CM750HG-130R