详细资料：
英飞凌IGBT模块FF600R12KE7
北京京诚宏泰科技有限公司销售英飞凌IGBT模块；可控硅模块；整流桥模块；二极管模块；晶闸管；IPM模块
产品参数：
FF800R12KE7 IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥 1200 V 800 A 底座安装 AG-62MM 双低饱和和快速沟槽 IGBT 模块，
带有 TRENCHSTOP™ IGBT7 和发射极控制的 7 二极管。
62 mm 1200 V, 800 A 低饱和压降的Fast trench IGBT半桥模块，采用TRENCHSTOP™ IGBT7和发射极控制第7代二极管。也可提供预涂导热介质版本。
产品规格：
IGBT 类型：沟槽型场截止
配置：半桥
电压 - 集射极击穿：1200 V
电流 - 集电极 (Ic)：800 A
电流 - 集电极截止：100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)：122 nF @ 25 V
输入：标准
NTC 热敏电阻：无
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：底座安装
封装/外壳：模块
供应商器件封装：AG-62MM
产品特征：
高功率密度
的 VCE，SAT
Tvj op = 175°C 过载
高爬电距离和电气间隙
符合 RoHS 标准
4 kV AC 1 分钟绝缘
CTI > 400 的封装
通过 UL1557 E83336 获得 UL/CSA 认证
优势：北京京诚宏泰科技有限公司供应英飞凌IGBT模块FF600R12KE7
具有更高电流能力的现有封装，允许在相同框架尺寸的情况下增加逆变器输出功率
高功率密度
避免 IGBT 模块并联
通过简化逆变器系统降低系统成本
灵活性
高的可靠性
产品应用领域：
不间断电源（UPS）
储能系统
电机控制和驱动
商用、建筑和农用车辆 (CAV)
变频器
IGBT是什么？
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT与MOSFET的对比
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。
优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。北京京诚宏泰科技有限公司供应英飞凌IGBT模块FF600R12KE7
IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。它的三个极分别是集电极（C）、发射极（E）和栅极（G）。
特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。
IGBT的典型应用
电动机
不间断电源
太阳能面板安装
电焊机
电源转换器与反相器
电感充电器
电磁炉
第七代IGBT型号：
FF900R12ME7P_ B11
FF450R12ME7_ B11
FF900R12ME7W_ _B11
FF900R12ME7_ B11
FF600R12ME7_ B11
FF800R12KE7
FF300R12ME7_ B11
FF750R12ME7_ _B11
FF750R17ME7D_ B11
FF225R17ME7_ _B11
FF1800R23IE7P
FF1800R23IE7
FF2400RB12IP7P
FF2400RB12IP7
F3L400R10W3S7F_ B11
F3L600R10W4S7F_ C22
FS3L200R10W3S7F_ B94
F3L 400R10W3S7_ _B11
FS3L200R10W3S7F_ B11
FP15R12W1T7_ B3
FP15R12W1T7
FP15R12W1T7P_ B11
FP25R12W2T7
FP50R12W2T7_ B11
FP25R12W1T7
FP50R12W2T7
FP35R12W2T7_ B11
FP10R12W1T7_ B11
FP35R12W2T7
FP25R12W1T7_ B11
FP25R12W2T7_ B11
FP15R12W1T7_ _B11
FP10R12W1T7_ B3 .
FP15R12W1T7P
FP100R12W3T7 B11
