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  • FZ3600R17KE3英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE3大功率IGBT

    英飞凌IGBT模块FZ3600R17KE3大功率IGBT

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD800R33KF2C-K英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

    英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C-K

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • CM500HA-34A三菱一单元IGBT模块CM500HA-34A

    三菱一单元IGBT模块CM500HA-34A

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1500R33HE3英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

    英飞凌IGBTM模块FZ1500R33HE3

    3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • SKM800GA176D西门康一单元IGBT模块SKM800GA176D

    西门康一单元IGBT模块SKM800GA176D

    SEMIPACK系列产品包括晶闸管,整流桥和快速二极管模块。赛米控的晶闸管/二极管模块占全环市场的27%。由于这些年来各式各样的修改,SEMIPACK系列晶闸管/二极管模块拥有完善的高可靠性的家簇,有着广泛的输出电流,从15A到1200A,电压等级从400V到2200V。SEMIPACK系列晶闸管/二极管模块常用在感应电机的软启动,晶体化AC电机控制器的线性整流,DC电机控制以及电源,温度控制

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  • 2MBI300N-060富士IGBT模块2MBI300N-060

    富士IGBT模块2MBI300N-060

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD400R12KE3英飞凌IGBT斩波模块FD400R12KE3

    英飞凌IGBT斩波模块FD400R12KE3

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • SEMiX252GB126HDs西门康IGBT模块SEMiX252GB126HDs

    西门康IGBT模块SEMiX252GB126HDs

    SEMIX有各种晶闸管/二极管模块,IGBT模块和整流桥。,所有的逆变单元都是紧凑的扁平化设计,且高度都统一为17mm,它采用了弹簧技术,控制单元全是无焊接接触,且每一基本单元都类似,可快速生产。SEMIX晶闸管/二极管模块的电流范围有140A-300A,电压等级有1600V。SEMIX 的IGBT模块可以用在AC/DC电机控制的输入整流桥中,且适用于开关电源,电流变频,UPS,电焊机装置中。

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  • 1MBI300S-120富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

    富士1单元IGBT模块1MBI300S-120

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1200R12HP4英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

    英飞凌IGBT模块FZ1200R12HP4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD800R33KF2英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C

    英飞凌IGBT斩波模块FD800R33KF2C

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • CM400DY-24A三菱IGBT模块

    三菱IGBT模块

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • 2MBI300U4H-120富士IGBT模块2MBI300U4H-120

    富士IGBT模块2MBI300U4H-120

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ2400R12KE3英飞凌大功率IGBT模块FZ2400R12KE3

    英飞凌大功率IGBT模块FZ2400R12KE3

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FD400R16KF4英飞凌IGBT斩波模块FD400R16KF4

    英飞凌IGBT斩波模块FD400R16KF4

    直流斩波器又称为截波器,它是将电压值固定的直流电,转换为电压值可变的直流电源装置,是一种直流对直流的转换器 已被广泛使用,如直流电机的速度控制、交换式电源供应器(Switching-Power-Supply)等。

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  • FZ1200R16KF4_S1英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

    英飞凌IGBT模块FZ1200R16KF4_S1

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • FZ1000R12KF4英飞凌大功率IGBT模块FZ1000R12KF4

    英飞凌大功率IGBT模块FZ1000R12KF4

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG600Q1US41东芝IGBT模块

    东芝IGBT模块

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG50Q2YS40东芝IGBT模块MG50Q2YS40

    东芝IGBT模块MG50Q2YS40

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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  • MG600Q1US51东芝IGBT模块MG600Q1US51

    东芝IGBT模块MG600Q1US51

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小

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