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FUJI富士IGBT模块6MBI100VB-120-50
FUJI富士IGBT模块6MBI100VB-120-50；富士变频器IGBT模块；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售6MBI100VB-120-50；富士6单元IGBT模块6MBI100VB-120-50
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FUJI富士IGBT模块6MBI100UB-120
FUJI富士IGBT模块6MBI100UB-120；富士变频器IGBT模块；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售6MBI100UB-120；富士6单元IGBT模块6MBI100UB-120
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FUJI富士IGBT模块6MBI150UB-120
FUJI富士IGBT模块6MBI150UB-120；富士变频器IGBT模块；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售6MBI150UB-120；富士6单元IGBT模块6MBI150UB-120
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IGBT模块GA100TS120K
IGBT模块GA100TS120K，北京京诚宏泰科技有限公司专业销售GA100TS120K；IR模块GA100TS120K；技术参数：VCES=1200V ;IC=100A
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IGBT模块GA75TS120U
IGBT模块GA75TS120U，北京京诚宏泰科技有限公司专业销售GA75TS120U；IR模块GA75TS120U；技术参数：VCES=1200V ;IC=75A
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东芝IGBT模块MG900GXH1US53
东芝IGBT模块MG900GXH1US53；TOSHIBA东芝高压IGBT模块MG900GXH1US53；北京京诚宏泰科技有限公司专业销售MG900GXH1US53
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三菱IGBT模块CM1400DU-24NF
三菱CM1400DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1400DU-24NF；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM1200E4C-34N
三菱CM1200E4C-34N北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM1200E4C-34N；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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CM900DU-24NF三菱IGBT模块
三菱CM900DU-24NF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM900DU-24NF；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM300DY-28H
三菱CM300DY-28H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM300DY-28H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-34A
三菱CM400DY-34A北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34A；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-34H
三菱CM400DY-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-34H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DU-34KA
三菱CM400DU-34KA北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DU-34KA；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-50H
三菱CM400DY-50HH北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-50H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM400DY-66H
三菱CM400DY-66H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM400DY-66H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM600DY-34H
三菱CM600DY-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM600DY-34H；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E3UA-24F
三菱CM800E3UA-24FF北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E3UA-24F；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E2UA-24F
三菱CM800E2UA-24F北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E2UA-24F；IGBT绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800DZ-34H
三菱CM800DZ-34H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800DZ-34H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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三菱IGBT模块CM800E2Z-66H
三菱CM800E2Z-66H北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售三菱IGBT模块CM800E2Z-66H。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，
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