分析一下北京晶闸管具有哪些特性
点击次数：1359 更新时间：2021-05-25
北京晶闸管是一种开关元件，能在高电压、大电流条件下工作，并且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中，是典型的小电流控制大电流的设备。
北京晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。
(1)反向特性
当门极G开路,阳极加上反向电压时,J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,同时J3结也击穿,电流迅速增加,特性曲线OR段开始弯曲,弯曲处的电压URO称为“反向转折电压”。此后,北京晶闸管会发生性反向击穿。
(2)正向特性
当门极G开路,阳极A加上正向电压时,J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,如图2的特性曲线OA段开始弯曲,弯曲处的电压UBO称为“正向转折电压”。
由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进入N1区,空穴进入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合。同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合，雪崩击穿后，进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉。这样，在N1区就有电子积累，在P2区就有空穴积累，结果使P2区的电位升高，N1区的电位下降，J2结变成正偏，只要电流稍有增加,电压便迅速下降，出现所谓负阻特性，见图2中的虚线AB段。这时J1、J2、J3三个结均处于正偏，便进入正向导电状态——通态,此时，它的特性与普通的PN结正向特性相似，如图2的BC段。
(3)触发导通
在门极G上加入正向电压时,因J3正偏,P2区的空穴进入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在内部正反馈作用的基础上,加上IGT的作用,使北京晶闸管提前导通,导致伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
