可控硅模块对于过流和过电压有什么保护措施
点击次数：2216 更新时间：2018-07-26
可控硅模块从内部封装芯片上可以分为可控模块和整流模块两大类。从具体的用途上区分，可以分为：普通晶闸管模块（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模块(MDC)、普通晶闸管、整流管混合模块(MFC)、快速晶闸管、整流管及混合模块（MKC\MZC)、非绝缘型晶闸管、整流管及混合模块（也就是通常所说的电焊机模块MTG\MDG)、三相整流桥输出可控硅模块（MDS)、单相（三相）整流桥模块（MDQ)、单相半控桥（三相全控桥）模块(MTS)以及肖特基模块等。
可控硅模块的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差，即使短时间的过流和过电压，也可能导致可控硅模块的损坏，所以必须对它采用适当的保护措施。下面就来看一下可控硅模块的两大保护措施：
1.过电流保护
可控硅模块出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下三种：
种是快速容断器：快速容断器中的溶丝是银质的，只要选用适当，在同样的过电流倍数下，它可以在可控硅模块损坏前先溶断，从而保护了晶闸管。
第二种是过电流继电器：当电流超过过电流继电器的整定值时，过电流继电器就会动作，切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间，所以只能用作可控硅模块的过载保护。
第三种是过载截止保护：利用过电流的信号将可控硅模块的触发信号后移，或使可控硅模块得导通角减小，或干脆停止触发保护可控硅模块。
2.过电压保护
过电压可能导致可控硅模块的击穿，其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或可控硅模块导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施：
种：阻容保护
第二种：硒堆保护
