北京京诚宏泰科技有限公司

　　

　　IGBT的损耗主要由通态损态和开关损耗组成，不同的开关频率，开关损耗和通态损耗所占的比例不同。而决定IGBT通态损耗的饱和压降VCE(sat)和决定IGBT开关损耗的开关时间（ton，toff）又是一对矛盾，因此应根据不同的开关频率来选择不同特征的IGBT。

　　

　　在低频如fk<10KHz时，通态损耗是主要的，这就需要选择低饱和压降型北京英飞凌IGBT模块。对于英飞凌产品需选用后缀为“KE3”或“DLC”系列IGBT；但北京英飞凌IGBT模块后缀为“KT3”系列饱和压降与“KE3”系列饱和压降相近，“KT3”比“KE3”开关损耗降低20％左右，因而

　　

　　“KT3”将更有优势。“KT3”由于开关速度更快，对吸收与布线要求更高。

　　

　　若开关频率在10KHz－15KHz之间，请使用英飞凌后缀为“DN2”和“KT3”的IGBT模块，今后对于fk≤15KHz的应用场合，建议客户逐步用“KT3”取代“KE3”，“DLC”或“DN2”。

　　

　　当开关频率fk≥15KHz时，开关损耗是主要的，通态损耗占的比例比较小。选择英飞凌短拖尾电流“KS4”高频系列。当然对于fk在15KHz－20KHz之间时，“DN2”系列

　　

　　也是比较好的选择。英飞凌“KS4”高频系列，硬开关工作频率可达40KHz；若是软开关，可工作在150KHz左右。

　　

　　北京英飞凌IGBT模块在高频下工作时，其总损耗与开关频率的关系比较大，因此若希望IGBT工作在更高的频率，可选择更大电流的IGBT模块；另一方面，软开关主要是降低了开关损耗，可使IGBT模块工作频率大大提高。随着IGBT模块耐压的提高，IGBT的开关频率相应下降。